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        napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率

        napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率DUORES Handy的介紹
        簡單的測量儀器,只需將樣品插入探頭之間即可測量
        在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
        通過 JOG 撥盤輕松設置測量條件
        *由于探頭為固定型,請在購買前從多種類型中選擇一種。

        • 產品型號:DUORES Handy
        • 廠商性質:經銷商
        • 更新時間:2023-04-15
        • 訪  問  量:1101
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        napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率DUORES Handy的介紹

        napson電阻測量儀 電阻計 熱電阻 電阻率DUORES Handy的介紹

        產品特點

        便于攜帶和測量的便攜式薄層電阻測量儀:DUORES

        可根據測量對象更換兩種類型的探頭(非破壞型和接觸型)。

        款可與兩種類型的探頭(非破壞型和接觸型)互換使用的便攜式薄層電阻測量儀
        • 只需放置/應用探頭即可自動測量
        • 電池連續工作時間:24 小時(*電池使用中)
        顯示數據數:最多 100(*從最近的數據顯示)

        • 保存數據數:最大50,000(*通過專用軟件顯示)
        • 測量數據傳輸功能:USB-Mini
        • 顯示:3種顯示單位(Ω/□、S/□、n/m [金屬膜厚度換算) ]), 4 位浮點數 (0.000 到 9999)

        * 我們也只出售主機 + 非破壞型探頭,主機 + 接觸式探頭。


        產品特點

        • 節省空間,使用個人電腦輕松操作和數據處理

        • 非接觸式渦流法可實現無損傷測量

        • 探頭可拆卸和更換,因此每個量程的探頭都可以輕松更換。

        • (*可選用于第二個和后續電阻探頭)

        • 1 中心點測量

        • 厚度和溫度修正功能(硅晶圓)

        測量規格

        測量對象

        半導體/太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
        新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
        導電薄膜(金屬、ITO等)
        硅基外延、 ion Injection sample
        化合物半導體相關(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
        其他(*請聯系我們)


        測量尺寸

        3 至 8 英寸,~156 x 156 毫米
        (可選;2 英寸或 12 英寸,~210 x 210 毫米)

        測量范圍

        [電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
        (*所有探頭類型的總范圍/當厚度為 500um 時)
        [薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
        (*所有探頭類型的總范圍)

        產品特點

        • 只需觸摸手持探頭即可測量電阻

        • 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換

        • 通過 JOG 撥盤輕松設置測量條件

        • 可互換連接器連接的電阻測量探頭支持各種電阻

        • (電阻探頭:最多可使用2+PN判斷探頭)


        測量規格

        測量對象

        半導體/太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
        新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
        導電薄膜(金屬、ITO等)
        硅基外延、 ion Injection sample
        化合物半導體相關(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)
        其他(*請聯系我們)

        測量尺寸

        不受樣品尺寸和形狀的影響(但是,大于 20 mmφ 且表面平坦的樣品)均可測量


        測量范圍

        [電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
        (*所有探頭類型的總范圍/當厚度為 500um 時)
        [薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq

        • 節省空間,使用個人電腦輕松操作和數據處理

        • 非接觸式渦流法可實現無損傷測量

        • 探頭可拆卸和更換,因此每個量程的探頭都可以輕松更換。

        • (*可選用于第二個和后續電阻探頭)

        • 1 中心點測量

        測量對象

        半導體/太陽能電池材料(硅、多晶硅、SiC等)
        新材料/功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等)
        導電薄膜(金屬、ITO等)
        硅基外延、 ion Injection sample
        化合物半導體相關(GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等)




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