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        日本Coper Electronics 介紹一種功率半導體熱阻測試儀瞬態熱阻測量儀

        更新時間:2024-04-15      瀏覽次數:568
          介紹一種功率半導體熱阻測試儀。
         
          熱阻測量器
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        瞬態熱阻測試儀系列
         
          瞬態熱阻測量儀是測量IGBT/MOS-FET/Diode/BJT等的瞬態熱阻的裝置。
         
          BJT瞬態熱阻測量儀是向集電極·發射極間施加指的定的功率,使芯片溫度上升,求出其前后的微小電流(Im)引起的基極·發射極間電壓差(ΔVBE)的裝置。 這樣可以推測試料的熱阻。
         
          IGBT瞬態熱阻測量儀與BJT瞬態熱阻測量儀一樣,是計算柵極發射極之間電壓差(ΔVGE)的測量儀。
         
          P-MOS FET瞬態熱阻測量儀與BJT瞬態熱阻測量儀一樣,是計算柵極和源極之間電壓差(ΔVGS)的測量儀。
         
          可以在BJT瞬態熱阻測試儀的基極、發射極之間測量二極管的δVF。
         
          ◇主要規格

        施加電壓

        2~30/100/600/1200V

        通電電流

        0.1至30/100/200/500/1000 a

        電力施加寬度

        100、200和500μs
        1、2、5、10、20、50、100、200、500 ms
        1S,2S,30S,DC

        測量電流( Im )

        1至1~99/199/999mA

        測量范圍

        ΔVBE: ~999/1999mV (但VBE MAX: 3V )
        ΔVGS/VGE: ~999/1999/9990mV (但VGS/VGE MAX: 20V )

        采樣點

        Td 50~990μS

         
          ※熱電阻測量儀有功率限制,電壓、電流施加時間會限制可測量的區域。 此外,根據規格的不同,裝置的大小和重量會有很大的變化。 上述規格僅為一個例子,設計、制作需要詳細協商。
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